相关研究以ControllableHeterojunctionswithaSemicoherentPhase BoundaryBoostingthePotassiumStorageofCoSe2/FeSe2为题目，山东设再树军发表在AM上。

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然而，华技非晶相变材料存在由自发结构弛豫引起的体系电阻持续增大现象，被称为电阻漂移。山东设再树军相关文献1.Y-DopedSb2Te3Phase-ChangeMaterials:TowardaUniversalMemory,BinLiu,WanliangLiu,ZhenLi,KaiqiLi,LiangcaiWu,JianZhou,ZhitangSong,andZhimeiSun*,ACSAppliedMaterialsInterfaces,2020,12,20672−DOI:10.1021/acsami.0c03027.2.Yttrium-DopedSb2Te3:APromisingMaterialforPhase-ChangeMemory,ZhenLi,ChenSi,JianZhou,HuibinXu,andZhimeiSun*,ACSAppliedMaterialsInterfaces,2016,8,26126−DOI:10.1021/acsami.6b08700.3.Vacancy-MediatedElectronicLocalizationandPhaseTransitioninCubicSb2Te3,Kaiqi Li,LiyuPeng,LinggangZhu,JianZhou,andZhimeiSun*,MaterialsScienceinSemiconductorProcessing,2021,135,106052.DOI:1016/j.mssp.2021.106052.4.ALKEMIE:Anintelligentcomputationalplatformforacceleratingmaterialsdiscoveryanddesign,GuanjieWang,LiyuPeng,KaiqiLi,LinggangZhu,JianZhou,NaihuaMiao, andZhimeiSun*. ComputationalMaterialsScience,2021,186,110064-1100741. DOI:10.1016/j.commatsci.2020.110064.5.IdentifyingoptimaldopantsforSb2Te3phase-changematerialbyhighthroughputabinitiocalculationswithexperiments,ShuweiHu,BinLiu,ZhenLi,JianZhou,andZhimeiSun*.ComputationalMaterialsScience, 2019,165,51.DOI:10.1016/j.commatsci.2019.04.028.6.Synergyeffectofco-dopingScandYinSb2Te3forphase-changememory,ShuweiHu,JiankaiXiao,JianZhou,StephenR.ElliottabcandZhimeiSun*.JournalofMaterialsChemistryC,2020,8,6672.DOI:10.1039/d0tc01693d.更多内容可关注孙志梅团队网站：https://alkemine.cnhttps://alkemine.org本文由作者投稿。

除完全非晶和晶态外，高技依靠迭代激励调控相变材料非晶和晶态占比，高技可实现多个中间态，在开发高密度多级信息存储和神经形态计算中展现出巨大潜力。

军人绩王奖（a）T型相变存储单元的结构示意图和（b）TEM形貌像。除此之外，才队创佳对分步电沉积法构建的NaK@C电极进行了表征，并对其用于存储系统中的电化学性能进行了测试。

引此，伍建对钠钾合金电极的制备、初始合金化行为以及电极界面的电化学反应过程的研究是是亟待解决的，且研究面临着巨大挑战。然而，斩获o中钠钾合金电极具有极大的表面张力，很难直接作为电极应用于电池。

电极的液体性质和SEI的存在使其具有明显的无枝晶特性，华技且在对称电池和全电池测试中均表现出了优异的电化学性能。山东设再树军(c)NaK@C//PPB和K//PPB全电池在1C电流密度下的倍率性能。